인텔이 지난주 중국 다롄에서 제조된 QLC 낸드 다이를 기반으로 1,000만 개째 인텔 QLC 3D 낸드(NAND) 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 생산했다고 발표했다.

데이브 런델(Dave Lundell) 인텔 클라이언트용 SSD 전략 기획 및 제품 마케팅 담당 디렉터는 “많은 사람들이 QLC 기술에 대해 이야기했다. 그러나 인텔은 QLC 기술을 대규모로 출하하는데 성공했다”며 “인텔은 QLC SSD (인텔 SSD 660p)의 비용 효율적인 용량, 인텔 옵테인(Optane) 기술과 QLC 솔루션(인텔 옵테인(Optane) 메모리 H10)을 결합한 성능에 대한 강력한 수요가 있음을 확인했다”고 말했다.

인텔은 지난 10여 년간 이 기술을 개발해왔다. 2016년 인텔 엔지니어들은 이미 검증된 플로팅게이트(FG) 기술의 방향을 수직으로 바꿔 게이트 올 어라운드(Gate All-Around) 구조로 구성했다. 그 결과 발생하는 3D 트라이-레벨 셀(TLC) 기술은 다이 당 384 기가바이트를 저장할 수 있었다. 2018년에는 3D QLC 플래시는 셀 당 4 비트, 64 레이어로 다이 당 1,024 기가바이트를 저장할 수 있게 됐다. 2019년 인텔은 96 층 레이어를 구현해 전체 면적밀도를 줄였다.