삼성전자는 업계 최초로 HKMG, Higk-K Metal Gate 공정을 적용한 512GB DDR5 모듈 개발에 성공했다고 밝혔다.

이번 개발에는 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능/저전력을 구현했다.

HKMG를 통해 기존 공정 대비 전력 소모 13%가 감소했으며, 또한 처음으로 8단 TSV(실리콘 관통 전극) 기술이 적용된 것이 특징이다.

512GB 용량은 16Gb 기반으로 8단 TSV를 적용해 구현했다.